Перевод: со всех языков на русский

с русского на все языки

образование плёнки на поверхности

См. также в других словарях:

  • Тонкие плёнки — (англ. thin films) тонкие слои материала, толщина которых находится в диапазоне от долей нанометра (моноатомного слоя) до нескольких микрон[1]. Содержание 1 Описание 2 Получен …   Википедия

  • ТОНКИЕ ЖИДКИЕ ПЛЁНКИ — (ТЖП) плёнки жидкой фазы a, граничащие с одинаковыми b (симметричные ТЖП) или разными b и b (несимметричные ТЖП) текучими (жидкими или газообразными) фазами и имеющие столь малую толщину, что взаимодействие их межфазных границ становится… …   Физическая энциклопедия

  • АНОДИРОВАНИЕ — образование защитного покрытия на поверхности металлич. изделии, к рые служат в процессе электролиза анодом. Анодируют в осн. алюминий и его сплавы; образующиеся при этом оксидные плёнки (обычно толщ. 5 25 мкм) защищают металл от коррозии, служат …   Большой энциклопедический политехнический словарь

  • Алюминий — (Aluminum) Сплавы и производство алюминия, общая характеристика Al Физические и химические свойства алюминия, получение и нахождение в природе Al, применение алюминия Содержание Содержание Раздел 1. Название и история открытия . Раздел 2. Общая… …   Энциклопедия инвестора

  • Дрожжи — микроскопические грибки с своеобразной организацией и циклом развития; составляют особую группу Saccharomycetes, дрожжевых грибков. Так как они обладают способностью вызывать спиртовое брожение, то они зовутся еще бродильными грибками… …   Энциклопедический словарь Ф.А. Брокгауза и И.А. Ефрона

  • Сахаромицеты — Сахаромицеты …   Википедия

  • Ультразвуковая обработка —         воздействие Ультразвука (обычно с частотой 15 50 кгц) на вещества в технологических процессах. Для У. о. применяют технологические аппараты с электроакустическими излучателями либо аппараты в виде свистков (См. Свистки) и сирен (См.… …   Большая советская энциклопедия

  • Кремний на изоляторе — Схема КНИ подложки Кремний на изоляторе (КНИ) (англ. Silicon on insulator, SOI) технология изготовления полупроводниковых приборов, основанная на использовании трёхслойной подложки со структурой кремний д …   Википедия

  • SOI — Схема КНИ подложки Кремний на изоляторе (КНИ) (англ. Silicon on insulator, SOI) технология изготовления полупроводниковых приборов, основанная на использовании трёхслойной подложки со структурой кремний диэлектрик кремний вместо обычно… …   Википедия

  • Silicon on insulator — Схема КНИ подложки Кремний на изоляторе (КНИ) (англ. Silicon on insulator, SOI) технология изготовления полупроводниковых приборов, основанная на использовании трёхслойной подложки со структурой кремний диэлектрик кремний вместо обычно… …   Википедия

  • КНИ — Схема КНИ подложки Кремний на изоляторе (КНИ) (англ. Silicon on insulator, SOI) технология изготовления полупроводниковых приборов, основанная на использовании трёхслойной подложки со структурой кремний диэлектрик кремний вместо обычно… …   Википедия

Поделиться ссылкой на выделенное

Прямая ссылка:
Нажмите правой клавишей мыши и выберите «Копировать ссылку»